[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，衬底上形成有堆叠层，堆叠层包括核心存储区和台阶区，核心存储区中形成有存储单元串，台阶区形成有分区台阶，且沿核心存储区延伸的方向，分区台阶中的台阶长度呈渐进变化。这样，可以降低接触塞无法可靠形成于台阶上的风险，保证栅线正常引出。

主权项

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上由栅极层和栅极间介电层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区，所述第一轴为所述衬底表面所在平面内沿所述核心存储区延伸的轴；所述核心存储区中的沟道孔，所述沟道孔中形成有存储单元串；所述台阶区的分区台阶，沿第一轴方向所述分区台阶中台阶的长度呈渐进变化。