[发明专利]一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910252565.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994539A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴燕庆;胡奔;李学飞 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述碳化硅结势垒肖特基二极管包括：从下到上依次分布的阴极电极、碳化硅衬底、第一漂移层和第二漂移层，以及第一场限环、第二场限环、钝化层和阳极电极；所述第一场限环深度小于所述第一漂移层，间隔分布在所述第一漂移层中，与所述第一漂移层上表面平齐；所述第二场限环宽度小于所述第一场限环，深度与所述第二漂移层相同，间隔分布在所述第二漂移层中；所述第一场限环与所述第二场限环数量相同，对应呈倒T形或L形分布；所述阳极电极位于主结上方，所述钝化层位于所述阳极电极两侧。本发明的肖特基二极管击穿电压提高，且制备的工艺难度减小。 | ||
| 搜索关键词： | 场限环 漂移层 碳化硅结势垒肖特基二极管 阳极电极 制备 间隔分布 钝化层 肖特基二极管 工艺难度 击穿电压 阴极电极 上表面 碳化硅 倒T形 衬底 减小 平齐 主结 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：碳化硅衬底(1)、第一漂移层(2a)、第二漂移层(2b)、第一场限环(4a)、第二场限环(4b)、阴极电极(5)、钝化层(6)和阳极电极(7)；所述阴极电极(5)、碳化硅衬底(1)、第一漂移层(2a)和所述第二漂移层(2b)从下到上依次分布；所述第一场限环(4a)深度小于所述第一漂移层(2a)，间隔分布在所述第一漂移层(2a)中，且与所述第一漂移层(2a)上表面平齐；所述第二场限环(4b)宽度小于所述第一场限环(4a)，深度与所述第二漂移层(2b)相同，间隔分布在所述第二漂移层(2b)中；所述第一场限环(4a)与所述第二场限环(4b)数量相同，对应呈倒T形或L形分布；所述阳极电极(7)位于主结上方，所述钝化层(6)位于所述阳极电极(7)两侧。
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