[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910252751.5 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109935568A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王先彬;刘威;汪飞艳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 李向英 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了半导体器件及其制作方法。该半导体器件的第一结合层和第二结合层彼此接触以提供第一晶片和第二晶片彼此键合，第一结合层和第二结合层的接触面为键合面，第一导电通道和第二导电通道彼此连接以提供第一晶片和第二晶片之间的电连接，第一晶片还包括贯穿第一结合层的第一伪通道，第二晶片还包括贯穿第二结合层的第二伪通道，第一伪通道和第二伪通道彼此接触以提高第一晶片和第二晶片之间的机械连接结合力。该半导体器件在第一晶片和第二晶片的结合层中形成彼此连接的伪通道以改善二者键合面的图案分布，从而提高键合强度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 伪通道 半导体器件 第二结合层 第一结合层 彼此连接 导电通道 键合 彼此键合 机械连接 电连接 键合面 结合层 结合力 贯穿 制作 图案 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一晶片，包括第一基底和位于所述第一基底表面的第一结合层、以及贯穿所述第一结合层的第一导电通道和第一伪通道，所述第一导电通道与所述第一基底的互连结构电连接；以及第二晶片，包括第二基底和位于所述第二基底表面的第二结合层、以及贯穿所述第二结合层的第二导电通道和第二伪通道，所述第二导电通道与所述第二基底的互连结构电连接；其中，所述第一结合层和所述第二结合层结合，所述第一导电通道和所述第二导电通道结合以提供所述第一晶片和所述第二晶片之间的电连接和机械连接，所述第一伪通道和所述第二伪通道彼此接触以提高所述第一晶片和所述第二晶片之间的机械连接结合力。
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