[发明专利]一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域，用以增大隧穿场效应晶体管的开态电流。本发明通过将隧穿场效应晶体管的上下栅介质层向源区延伸并部分覆盖到源区，源区一侧的栅介质层表面覆盖金属栅，源区另一侧栅介质表面覆盖偏置电极，偏置电极与该侧金属栅用隔离墙隔离，形成上下非对称的结构，通过对偏置电极外加偏压，或利用偏置电极与金属栅之间金属功函数差值，增强栅电极所覆盖部分的源区上下两侧的垂直于沟道方向的电场，增大了载流子线隧穿的强度，总的载流子隧穿区域与隧穿几率增大，从而有效增大器件的开态电流。

主权项

1.一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管，晶体管包括源区(110)、沟道区(111)、漏区(112)、顶部栅介质层(113)、底部栅介质层(114)、顶部金属栅(115)、底部金属栅(116)、源电极(117)、漏电极(118)、偏置电极(119)和隔离墙(120)；所述源电极(117)、源区(110)、沟道区(111)、漏区(112)、漏电极(118)依次位于同一层；该层上表面放置顶部栅介质层(113)，下表面放置底部栅介质层(114)，所述顶部栅介质层(113)覆盖部分源区(110)和全部沟道区(111)的一侧，不与漏区(112)接触，顶部栅介质层(113)上表面覆盖相等长度的顶部金属栅(115)；所述底部栅介质层(114)覆盖部分源区(110)和全部沟道区(111)的一侧，不与漏区(112)接触，底部栅介质层(114)下表面依次设置偏置电极(119)、隔离墙(120)、底部金属栅(116)，所述偏置电极(119)、隔离墙(120)设置于源区(110)所在另一侧，且偏置电极(119)和隔离墙(120)的总长度等于顶部金属栅(113)覆盖于源区(110)上的长度。