[发明专利]二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列

摘要

本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括上沟槽电极和下沟槽电极，上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面；上沟槽电极内嵌有上中央电极，上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体；下沟槽电极内嵌有下中央电极，下沟槽电极和下中央电极间填充有下半导体基体；上沟槽电极和下沟槽电极的外宽均为2R_X，下沟槽电极位于上沟槽电极下方，两者垂直相距d3，且两者水平方向四分之一部位重叠，上中央电极和下中央电极规格相同。通过吸杂氧化在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。

主权项

1.二维排列双面错嵌式三维探测器，其特征在于，包括上沟槽电极(2)、下沟槽电极(5)和中间半导体基体(7)，上沟槽电极(2)刻蚀在中间半导体基体(7)上表面，下沟槽电极(5)刻蚀在中间半导体基体(7)下表面；上沟槽电极(2)为长方体结构，其外长为2R_X、外宽为2R_Y，下沟槽电极(5)与上沟槽电极(2)规格相同，下沟槽电极(5)位于上沟槽电极(2)下方，下沟槽电极(5)上表面与上沟槽电极(2)下表面垂直相距d3，且两者在水平方向有四分之一部位重叠；上沟槽电极(2)内嵌有上中央电极(3)，上中央电极(3)和上沟槽电极(2)之间填充有上半导体基体(1)；下沟槽电极(5)内嵌有下中央电极(6)，下沟槽电极(5)和下中央电极(6)之间填充有下半导体基体(4)。