[发明专利]量子级联激光器在审

专利信息
申请号: 201910256638.4 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN110350396A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 桥本顺一 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/042
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种量子级联激光器,包括:激光器结构,包括第一端面和第二端面、半导体台面和支撑基底,第一端面和第二端面在第一轴的方向上排列,半导体台面具有布置在第一端面和第二端面之间的第一台面部分和第二台面部分;以及,半导体台面上的第一电极。半导体台面在第一台面部分和第二台面部分之间的边界处具有第一台面宽度,以及具有在第二台面部分的端部处具有小于第一台面宽度的第二台面宽度,并且在从边界到第二端面的方向上具有从第一台面宽度变化的宽度。第二台面部分包括高比电阻区,该高比电阻区具有比包括在第一台面部分和第二台面部分中的导电半导体区的比电阻高的比电阻。
搜索关键词: 台面 半导体台面 量子级联激光器 高比电阻 比电阻 导电半导体 激光器结构 第一电极 宽度变化 边界处 第一轴 支撑基 半导体
【主权项】:
1.一种量子级联激光器,包括:激光器结构,所述激光器结构包括第一端面、第二端面、半导体台面和支撑基底,所述第一端面和所述第二端面在第一轴的方向上排列,所述半导体台面具有第一台面部分和第二台面部分,所述支撑基底安装所述半导体台面;以及第一电极,所述第一电极布置在所述半导体台面上;所述第一台面部分从所述第一端面延伸;所述第一台面部分和所述第二台面部分布置在所述第一端面和所述第二端面之间;所述第二台面部分具有端部;所述半导体台面在所述第一台面部分和所述第二台面部分之间的边界处具有第一台面宽度;所述第二台面部分在所述第二台面部分的所述端部处具有第二台面宽度;所述第二台面宽度小于所述第一台面宽度;所述第二台面部分在从所述边界到所述第二端面的方向上具有从所述第一台面宽度变化的宽度;所述半导体台面包括导电半导体区和核心层;所述导电半导体区和所述核心层从所述第一端面延伸超过所述边界;所述第二台面部分包括高比电阻区;以及所述高比电阻区具有比所述导电半导体区的比电阻高的比电阻。
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