[发明专利]控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片有效
| 申请号： | 201910257002.1 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN110010458B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 曾文昌;刘林艳;高海棠;杨凯 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片，其中，控制半导体晶圆片表面形貌的方法包括：对半导体晶圆片的正面进行单面减薄处理，以便使得所述表面形成中心高边缘低的凸面；对经过所述单面减薄处理的半导体晶圆片两个表面依次进行粗抛处理、中抛处理和精抛处理，以便得到半导体晶片。采用该方法可以有效提高半导体晶片表面平整度，减小厚度偏差，提高多片式单面抛光工艺加工水平，处理后的半导体晶片能够满足集成电路线宽的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 半导体 晶圆片 表面 形貌 方法 晶片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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