[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910257276.0 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111769046A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及多个分立于衬底上的鳍部，衬底包括相邻的隔离区和器件区，隔离区中的鳍部为伪鳍部，器件区中的鳍部为器件鳍部；在鳍部的侧壁和顶部上形成保护层；形成保护层后，在衬底上形成覆盖保护层的遮挡层，遮挡层中形成有露出伪鳍部的初始开口；去除遮挡层露出的伪鳍部；去除伪鳍部后，对初始开口的侧壁进行刻蚀，形成开口，开口露出隔离区的衬底、以及器件区中靠近隔离区的器件鳍部与隔离区之间的衬底，遮挡层的被刻蚀难度小于保护层的被刻蚀难度。本发明实施例在使得伪鳍部去除干净的前提下，保护器件鳍部不受损伤，提高了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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