[发明专利]一种金属柱制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910259350.2 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110120351A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黄光伟;李立中;林伟铭;马跃辉;吴靖;庄永淳 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种金属柱制作方法及半导体器件，其中方法包括如下步骤：在具有连接金属的半导体器件表面制作第一层光阻，所述连接金属用于与金属柱连接；在第一层光阻上面制作耐蚀刻缓冲层；在耐蚀刻缓冲层上面制作第二层光阻；在第二层光阻上曝光显影，去除待制作金属柱位置的第二层光阻；去除待制作金属柱位置的耐蚀刻缓冲层；采用非等向性蚀刻对待制作金属柱位置进行蚀刻，去除待制作金属柱位置的第一层光阻，露出连接金属。本方案通过耐蚀刻缓冲层的遮挡，使用非等向性蚀刻对第一层光阻进行蚀刻，可以实现蚀刻后的第一层光阻形成通孔内壁垂直，而后在通孔内形成金属柱侧壁垂直，保证每个铜柱的间距一致，便于后续缩小铜柱间距工艺的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻 金属柱 制作 第一层 缓冲层 耐蚀 蚀刻 连接金属 去除 非等向性蚀刻 半导体器件 铜柱 半导体器件表面 金属柱连接 侧壁垂直 间距一致 曝光显影 通孔内壁 通孔 遮挡 垂直 保证 | ||
【主权项】：
1.一种金属柱制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在具有连接金属的半导体器件表面制作第一层光阻，所述连接金属用于与金属柱连接；在第一层光阻上面制作耐蚀刻缓冲层；在耐蚀刻缓冲层上面制作第二层光阻；在第二层光阻上曝光显影，去除待制作金属柱位置的第二层光阻；去除待制作金属柱位置的耐蚀刻缓冲层；采用非等向性蚀刻对待制作金属柱位置进行蚀刻，去除待制作金属柱位置的第一层光阻，露出连接金属；在连接金属和第一层光阻内镀上金属，形成与连接金属连接的金属柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福联集成电路有限公司，未经福建省福联集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910259350.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：导电柱的形成方法、封装结构及封装方法
- 下一篇：一种晶体管高精封装设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
