[发明专利]银纳米线嵌入PDMS的柔性电容传感器在审
| 申请号： | 201910260103.4 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111765910A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 邹强;马卓敏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01D5/24 | 分类号： | G01D5/24 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开银纳米线嵌入PDMS的柔性电容传感器，包括具有柱状微结构的PDMS介电层及两个由嵌有AgNWs的PDMS导电膜构成的上下电极，PDMS介电层采用以下方式制作：将PDMS DC184、PDMS SE1700按预定比例混合制作成PMDS混合胶；分两次匀涂PMDS混合胶在载玻片上，第一次涂完后固化处理，继续匀涂，形成电容传感器初步介电层；将具有孔洞的PCET模板放在二次涂的PDMS膜上后抽真空处理，使PDMS进入PCET模板孔洞里，固化后形成柱状微结构；洗除PCTE模板，形成PDMS电容传感器介电层。本发明能达到理想高度，提高可压缩性，同时具有很好的稳定性，不易坍塌，使柔性电容传感器保持优异灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 嵌入 pdms 柔性 电容 传感器 | ||
【主权项】：
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