[发明专利]一种双面电池的制备方法在审
申请号: | 201910261164.2 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN109950347A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 许颖;何仁;陈静伟;陈剑辉 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 胡素梅 |
地址: | 071002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种双面电池的制备方法。本发明采用陶瓷辊式扩散炉对基片的正反两面进行双面扩散,而且在扩散之前采用超声雾化装置进行超声雾化沉积掺杂源,掺杂源分别是配制的特定浓度的硼酸和磷酸,超声雾化沉积掺杂源后在加热台上烘干掺杂源中的水分,烘干后进行扩散,即本发明是依次单面雾化掺杂源,单面扩散,因此不存在管式扩散炉中气体掺杂源的绕扩问题,有效避免了掺杂结被污染。经陶瓷辊式扩散炉双面扩散后,采用腐蚀液去除硼硅玻璃、磷硅玻璃、富硼层和富磷层。最后沉积减反层以及印刷电极。整个工艺过程简单,扩散时间短,而且设备的采购成本较低,有利于大量进行生产,可产业化。 | ||
搜索关键词: | 掺杂源 沉积 扩散 超声雾化 双面电池 双面扩散 扩散炉 陶瓷辊 烘干 制备 超声雾化装置 硼酸 管式扩散炉 工艺过程 磷硅玻璃 硼硅玻璃 雾化掺杂 印刷电极 正反两面 产业化 腐蚀液 富磷层 减反层 磷酸 硼层 去除 加热 配制 掺杂 采购 污染 生产 | ||
【主权项】:
1.一种双面电池的制备方法,其特征是,包括如下步骤:a、采用超声雾化装置在基片正面通过超声雾化沉积硼酸;b、在加热台上对基片正面所沉积的硼酸进行烘干;c、将基片置于陶瓷辊式扩散炉中,在960℃‑980℃下保持15min‑25min,在基片正面进行硼扩散;d、采用超声雾化装置在基片背面通过超声雾化沉积磷酸;e、在加热台上对基片背面所沉积的磷酸进行烘干;f、将基片置于陶瓷辊式扩散炉中,在850℃‑900℃下保持15min‑25min,在基片背面进行磷扩散;g、采用氢氟酸去除基片正面的硼硅玻璃和背面的磷硅玻璃;采用氢氟酸、硝酸和水的混合溶液去除基片正面的富硼层和背面的富磷层;h、采用等离子体化学气相沉积法在基片的正面和背面分别镀SiNX减反层;i、采用丝网印刷工艺在基片的正面和背面印刷银浆并烘干、烧结至正面和背面均形成插指状的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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