[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的镀膜方法有效
| 申请号： | 201910261761.5 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN109935640B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张鹤;王亨;张良俊;韩方虎;姚良 | 申请（专利权）人： | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 万婧 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶体硅太阳能电池的镀膜方法，属于太阳能电池材料领域，采用硅源和惰性气体的混合物在等离子体作用下进行，反应的压力为30Pa～1000Pa、反应温度为50℃～650℃、其中硅源与惰性气体气体的流量比为0.05～1:2.5～50的方法进行沉积薄膜，该方法可以获得镀有硅基薄膜均匀度高且无任何绕镀的高效电池，节省硅源使用量、采用多电极PECVD系统这样一种低成本的制备系统，在保障镀膜均匀度达到现有标准的情况下，实现了利用成本低的设备批量生产镀膜的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳能电池的镀膜方法，利用多电极PECVD系统沉积硅基薄膜，其特征在于，沉积反应为硅源气体和惰性气体在等离子体作用下反应，反应的压力为30Pa～1000Pa、反应温度为50℃～650℃、其中硅源与惰性气体的流量比范围为0.05～1:2.5～50。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏微导纳米科技股份有限公司，未经江苏微导纳米科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910261761.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
