[发明专利]一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201910262252.4 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN109950374B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李毅;钱星鹏;朱友华;王美玉 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人： | 蔡晶晶 |
| 地址： | 226019*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有In |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化物 量子 结构 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其特征在于：所述相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1‑xN插入层，且InxAl1‑xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。
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