[发明专利]具有流扩展器的晶片处理系统在审
申请号: | 201910262349.5 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN110344028A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | A·巴格奇;B·米特罗维奇;C·P·张;A·古如艾瑞 | 申请(专利权)人: | 维易科仪器有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 晶片处理系统和在这些系统中使用的环流扩展器,该流扩展器靠近并围绕晶片承载器的周边边缘。环流扩展器具有面向上游方向的顶表面,环被构造和布置成使得当反应器处于操作状态时,环紧密地围绕晶片承载器并且环的顶表面与承载器的顶表面基本上是位于同一平面的和/或连续的。环流扩展器具有外周面,外周面包括在环的顶表面处或附近的倒圆部分。 | ||
搜索关键词: | 扩展器 顶表面 环流 晶片处理系统 晶片承载器 外周面 操作状态时 周边边缘 反应器 承载器 倒圆 上游 | ||
【主权项】:
1.一种晶片处理系统,包括:腔室,所述腔室具有限定内部空间的壁,所述腔室中具有晶片承载器,所述晶片承载器具有周边边缘和顶表面;以及环流扩展器,所述环流扩展器在所述腔室内围绕所述晶片承载器,所述环流扩展器具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面、内表面和外周面,所述外周面背离所述晶片承载器并从所述顶表面延伸到所述底表面,所述外周面具有倒圆部分,所述倒圆部分靠近所述顶表面并且其半径被限定为不大于0.5英寸。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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