[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910263283.1 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111769089A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一半导体单元以及位于第一半导体单元内的第一TSV结构，第一半导体单元顶部表面露出第一TSV结构；位于第一半导体单元顶部表面的层间接合层，层间接合层内具有互连结构，互连结构包括至少一层导电层，互连结构具有顶端和与所述顶端相对的底端，且第一TSV结构与所述互连结构的底端相接触；位于层间接合层表面的第二半导体单元，第二半导体单元与第一半导体单元分别位于层间接合层相对的两侧，第二半导体单元内具有第二TSV结构，第二TSV结构与互连结构的顶端相接触。本发明实施例提供的半导体结构的整体厚度薄，且有利于减小半导体结构的电阻值，改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910263283.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金香坚果及其制备方法
- 下一篇：DAS防护效果的评价方法及装置
