[发明专利]半导体互连结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910263376.4 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111769073A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体互连结构及其制作方法。方法包括：提供上表面为第一介质层的第一半导体结构，第一介质层包括第一导电结构；于第一介质层上制作第二半导体结构，第二半导体结构的上表面包括第二介质层；在第二介质层进行两次光刻制程，以制作底部露出第一导电结构且经过第一介质层和第二半导体结构的垂直通孔，以及位于第二介质层中与垂直通孔上表面相交的导线沟槽；一次性填充导电材料于垂直通孔和导线沟槽，以形成连接第一导电结构的互连结构，互连结构包括位于第二介质层的第二导电结构和连通第一导电结构和第二导电结构的第三导电结构。本公开提供的半导体互连结构制作方法可以降低半导体互连结构的电阻、增强结构强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
