[发明专利]微型探测器及缺陷量测方法有效
| 申请号： | 201910263956.3 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111785650B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 林本坚;林崇荣;金雅琴;蔡宜霈 | 申请（专利权）人： | 林崇荣 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28;G01R31/302 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是提供一种微型探测器及缺陷量测方法，微型探测器包含一基板、一鳍状结构、一浮动栅极、一感测栅极、一读取栅极以及一天线层。鳍状结构位于基板上。浮动栅极位于基板上，浮动栅极与鳍状结构彼此垂直交叉。感测栅极位于鳍状结构的一侧。读取栅极形成于鳍状结构的另一侧。天线层连接感测栅极，其位于感测栅极上方。天线层接触一外部能量源后产生一引致电荷，透过一耦合效应将引致电荷储存于浮动栅极内。借此，可透过计算引致电荷推估晶圆制程中的缺陷分布。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 探测器 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林崇荣，未经林崇荣许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910263956.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种能进行非平面喷涂的工业喷涂机器人
- 下一篇：可调角度的三枢轴式万向节
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
