[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质

摘要

本发明公开了一种蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。该蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式，在该第1部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出，将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序包括第2部分更换模式，在第2部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出，将新的蚀刻液以第4设定量供给。根据本发明的蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质，不全部更换蚀刻液，而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围，能够精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。

主权项

1.一种蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括以下工序：蚀刻工序，使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理；以及间隔工序，处于对所述被处理体进行的蚀刻工序与下一个被处理体的蚀刻工序之间，不将被处理体浸渍于蚀刻处理部内的蚀刻液，其中，所述蚀刻工序包括第1部分更换模式，该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，所述间隔工序包括第2部分更换模式，该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以比第1设定量大的第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以比第2设定量大的第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序，所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第1设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第2设定量供给的工序，所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量：蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值。