[发明专利]过流保护补偿电路及方法以及反激电路在审

专利信息
申请号: 201910264805.X 申请日: 2019-04-03
公开(公告)号: CN109818507A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 俞秀峰;蓝舟 申请(专利权)人: 深圳市必易微电子有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/32
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 王松
地址: 518055 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭示了一种过流保护补偿电路及方法以及反激电路,所述补偿电路包括副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元;所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间Tdem;电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元,用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间Tdem对原边峰值电流值进行补偿;或者,所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元,副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间Tdem以及工作开关周期TS,并以此获取副边去磁占空比D_dem;所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元,用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。本发明可使补偿后的OLP曲线较为平滑,解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。
搜索关键词: 副边 占空比 电流补偿单元 补偿电路 获取单元 时间采样 原边峰值电流 反激电路 过流保护 电感 工作开关 预设频率 调整率 采样 平滑 芯片 应用
【主权项】:
1.一种过流保护补偿电路,其特征在于,所述补偿电路包括:副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元;所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间Tdem;所述电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元,用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间Tdem对原边峰值电流值进行补偿;或者,所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元,所述副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间Tdem以及工作开关周期TS,并以此获取副边去磁占空比D_dem;所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元,用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市必易微电子有限公司,未经深圳市必易微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910264805.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top