[发明专利]一种高纯纳米一氧化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201910266155.2 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN109796017A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 马文会;陈新亮;万小涵;李绍元;魏奎先;伍继君;雷云;于洁;谢克强;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，属于一氧化硅制备技术领域。本发明将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将真空干燥处理的一氧化硅粉末通过进粉器进料使一氧化硅粉气化，冷凝即得高纯纳米一氧化硅。本发明能降低高纯纳米一氧化硅的制备成本，减少三废的排放，形成良好的资源利用及环境保护；高纯纳米一氧化硅可以直接应用在镀膜领域、精细陶瓷制备领域、锂离子电池负极材料领域等。 | ||
| 搜索关键词： | 一氧化硅 高纯 制备 一氧化硅粉末 真空干燥处理 等离子体炉 氩气 锂离子电池负极材料 制备技术领域 一氧化硅粉 等离子炉 精细陶瓷 冷凝 保护气 进粉器 镀膜 排出 气化 载气 资源利用 环境保护 排放 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；（2）将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；（3）持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将步骤（1）中真空干燥处理的一氧化硅粉末通过进粉器进料使一氧化硅粉气化，冷凝即得高纯纳米一氧化硅。
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