[发明专利]提供接合连接的装置和方法在审

申请号：	201910268058.7	申请日：	2019-04-03
公开（公告）号：	CN110349873A	公开（公告）日：	2019-10-18
发明（设计）人：	F·伊科克;M·S·布罗尔;S·托费恩科	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/607	分类号：	H01L21/607
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	郑立柱;张昊
地址：	德国诺伊***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本公开涉及提供接合连接的装置和方法。例如，一种方法包括：加热将要电接触且布置在第一元件(10)上的第一导电层(14)；以及通过向接合线(20)的第一端(22)施加压力并且进一步将接合线(20)的第一端(22)暴露给超声能量来将接合线(20)的第一端(22)按压在第一导电层(14)上，从而使接合线(20)的第一端(22)变形，并且在接合线(20)的第一端(22)与第一导电层(14)之间创建永久的物‑物接合。接合线(20)包括具有至少125μm的直径(d1)的圆形截面或者具有至少500μm的第一宽度(w1)和至少50μm的第一高度(h1)的矩形截面。
搜索关键词：	接合线第一端第一导电层接合按压超声能量第一元件矩形截面施加压力圆形截面电接触加热变形暴露创建
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【主权项】：

1.一种方法，包括：加热将要被电接触且布置在第一元件(10)上的第一导电层(14)；以及通过向接合线(20)的第一端(22)施加压力并且进一步将所述接合线(20)的所述第一端(22)暴露给超声能量来将所述接合线(20)的所述第一端(22)按压在所述第一导电层(14)上，从而使所述接合线(20)的所述第一端(22)变形，并且在所述接合线(20)的所述第一端(22)与所述第一导电层(14)之间创建永久的物‑物接合；其中所述接合线(20)包括具有至少125μm的直径(d1)的圆形截面或者具有至少500μm的第一宽度(w1)和至少50μm的第一高度(h1)的矩形截面。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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