[发明专利]半导体封装和封装半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910268535.X | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110085525A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 撒切黄桑·纳撒尼尔;迪曼诺·小安东尼·班巴拉;黄锐;陈华峰;李润基;何明永;德维拉·尼尔森·阿比斯特;罗伯斯·罗埃尔;米拉·文达尼·林撒加恩 | 申请（专利权）人： | 联测总部私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/544;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟;郭婧婧 |
| 地址： | 新加坡宏*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于形成半导体封装的方法，其包括：提供至少一半导体裸片，其中所述裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一侧壁和第二侧壁，以及形成于所述裸片的所述第一主表面上的外部电触点；以及形成包封材料，所述包封材料覆盖所述裸片的所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一部分，其中所述包封材料包括第一包封材料，其覆盖且直接接触所述裸片的至少所述第一主表面，以及第二包封材料，其覆盖且直接接触所述裸片的至少所述第一主表面，其中所述裸片的所述第一主表面上的所述第一包封材料和所述第二包封材料的总厚度小于所述外部电触点的总厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 包封材料 主表面 裸片 半导体封装 第二侧壁 电触点 覆盖 封装半导体装置 半导体裸片 第一侧壁 外部 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体封装的方法，其包括：提供至少一半导体裸片，其中所述裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一侧壁和第二侧壁，以及形成于所述裸片的所述第一主表面上的外部电触点；以及提供支撑结构，其中所述支撑结构包括至少一限定在支撑结构内的凹口，其中所述凹口足够大以容纳所述半导体裸片；将所述至少一半导体裸片放置在所述至少一凹口中；形成包封材料，其中形成所述包封材料包括用所述包封材料填充所述支撑结构的至少一凹口，其中所述包封材料覆盖且接触所述裸片的所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联测总部私人有限公司，未经联测总部私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910268535.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于处理单片化射频单元的设备和方法
- 下一篇：用于施加接合层的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
