[发明专利]一种锑化铟纳米线制备方法有效
| 申请号： | 201910269168.5 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109989101B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 林东;张小菊;王涛;林子琦;刘守法 | 申请（专利权）人： | 西京学院 |
| 主分类号： | C25F3/20 | 分类号： | C25F3/20;C25D11/12;C25D11/08;C25D11/04;B22D19/00;B22D17/14;C25D11/18;C23C14/12;C23C14/14;C23C14/24;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;B82Y10/00 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锑化铟纳米线制备方法，通过制备InSb块状金属，将InSb块状金属熔融，利用阳极氧化铝模板制备含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板，将含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板浸泡在铬酸与磷酸的混合溶液中中24小时，除去阳极氧化铝模板，再用乙醇过滤即可获得锑化铟纳米线。同时还提供利用制备得到锑化铟纳米线制备有机场效应晶体管型内存的方法。本发明制备得到的锑化铟纳米线应用于有机场效晶体管电荷储存层，可降低晶体管功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化铟 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锑化铟纳米线制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将铟颗粒及锑粉末混合置于真空环境中加热，熔融后持续加热至混合均匀，冷却形成InSb块状金属；2)将InSb块状金属置于真空环境中进行加热至400℃保温24小时，冷却；3)利用纯铝片作为阳极氧化铝基板制备阳极氧化铝模板，所述的阳极氧化铝上有大小均一的纳米孔洞；4)把步骤(1)制备的InSb块状金属放在模具挤压内的阳极氧化铝模板上加热至InSb块状金属成熔融态，加压使熔融态锑化铟进入阳极氧化铝模板纳米孔内，冷却获得含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板；5)对含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板进行热处理，浸泡在铬酸与磷酸的混合溶液中，用乙醇过滤即可获得锑化铟纳米线。
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