[发明专利]一种HBC太阳能电池在审
申请号: | 201910269928.2 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110061086A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 席珍珍 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0236 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 710099 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明的目的在于公开一种HBC太阳能电池,它包括晶硅衬底,晶硅衬底的前表面从内到外依次包括隧穿氧化层、多晶硅层和钝化膜;晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的背表面n+掺杂氢化非晶硅层和激光开槽区域、钝化膜和金属电极;金属电极包括与背表面n+掺杂非晶硅区域欧姆接触的细栅线、背面激光开槽P+区域欧姆接触的细栅线和主栅线电极;与现有技术相比,晶硅衬底的前表面采用隧穿氧化层实现了前表面场钝化效应,降低了前表面复合速率,提升了电池的开路电压,有助于电池整体性能的提升;采用底层银浆,上层铝浆的二次叠印方式制备P+区电极,节约浆料成本,实现本发明的目的。 | ||
搜索关键词: | 衬底 晶硅 背表面 前表面 隧穿氧化层 太阳能电池 激光开槽 金属电极 欧姆接触 钝化膜 细栅线 电池 本征非晶硅层 氢化非晶硅层 掺杂非晶硅 叠印方式 钝化效应 多晶硅层 交替排列 开路电压 前表面场 区电极 主栅线 电极 浆料 铝浆 银浆 制备 背面 掺杂 上层 复合 节约 | ||
【主权项】:
1.一种HBC太阳能电池,其特征在于,它包括晶硅衬底,晶硅衬底的前表面从内到外依次包括隧穿氧化层、多晶硅层和钝化膜;晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的背表面n+掺杂氢化非晶硅层和激光开槽区域、钝化膜和金属电极;金属电极包括与背表面n+掺杂非晶硅区域欧姆接触的细栅线、背面激光开槽P+区域欧姆接触的细栅线和主栅线电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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