[发明专利]一种两步法PVD技术制备超厚Ti-Al-C三元涂层的方法有效

专利信息
申请号: 201910270621.4 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN109957757B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 杨红艳;张瑞谦;韦天国;闫萌;陈乐;邱绍宇;彭小明 申请(专利权)人: 中国核动力研究设计院
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/32;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 刘沙粒
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种两步法PVD技术制备超厚Ti‑Al‑C三元涂层的方法,对锆包壳基体样件进行表面洁净,冷风吹干样件后,装夹在真空腔室内的三维转架上,并对基体样件进行加热;充入Ar气,施加高偏压,对基体样件进行辉光溅射清洗或者电子枪加热清洗刻蚀;用引弧针开启TixAl弧靶,高偏压溅射清洗TixAl靶材,同时在基体表面生成基础层;低偏压沉积TixAl涂层,生成过渡涂层;调整合适的弧电流、偏压,开启中频磁控石墨靶,沉积Ti‑Al‑C超厚涂层;进行高温退火。本发明的制备工艺下得到的材料更能适用于核领域,使用更加安全,得到的材料的性能更好。
搜索关键词: 一种 步法 pvd 技术 制备 ti al 三元 涂层 方法
【主权项】:
1.一种两步法PVD技术制备超厚Ti‑Al‑C三元涂层的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对基体样件分别进行丙酮、去离子水超声表面清洗,在真空干燥室烘干后,将样件装在真空腔室内的三维转架上,关好炉门后抽真空;真空度达3.0×10‑3~5.0×10‑3后,开始加热;(2)达到预定温度后,充入Ar气,施加高偏压,对基体样件表面进行辉光溅射清洗或者电子枪加热清洗刻蚀;(3)在Ar气氛下,用引弧针开启TixAl弧靶,高偏压溅射清洗TixAl靶材,同时在基体表面生成基础层;(4)在Ar气氛下,低偏压沉积TixAl涂层,生成过渡涂层;(5)在Ar气氛下,调整合适的弧电流、偏压,开启中频磁控石墨靶,沉积Ti‑Al‑C超厚涂层;(6)达到预定沉积时间后,关闭弧源及加热,待炉温降至80℃以下后,关闭真空系统,并充氩气至常压,取出预制涂层样件;(7)对预制备的三元涂层样件,在高纯氩气保护气氛或真空条件下,进行高温退火处理,获得相结构和成分控制良好的Ti‑Al‑C三元涂层成分。
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