[发明专利]半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法在审
| 申请号： | 201910271137.3 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN111785773A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 林永丰;周政道 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法。半导体结构包含衬底、可流动介电材料垫层、回流保护层以及氮化镓系半导体层。衬底具有坑洞从衬底的上表面暴露出来。可流动介电材料垫层形成于坑洞中，且可流动介电材料垫层的上表面位于衬底的上表面之下。回流保护层形成于衬底与可流动介电材料垫层的上表面上。氮化镓系半导体层设置于回流保护层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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