[发明专利]一种垂直型-异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用

摘要

本发明公开了一种垂直型‑异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用，属于自旋电子学领域，本发明结合了横向器件与纵向器件的优点，一方面通过横向注入自旋极化电流，自旋极化电流横向注入有机材料，避免垂直结构电学短路问题；另一方面纵向探测电子自旋，自旋扩散通道长度即为薄膜厚度，采用楔形有机薄膜，实现自旋扩散通道长度的纳米级连续可调，通过外加电场和磁场，多模式实现有机物中电子自旋的操控和利用。本发明垂直型‑异域有机自旋电子器件，可用于操控自旋扩散长度在纳米量级的材料中的电子自旋，在同一器件中多模式实现电子自旋的操控，能够实现有机自旋阀的磁阻效应、non‑local磁阻效应、自旋Hanle效应。

主权项

1.一种垂直型‑异域有机自旋电子器件的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长单晶La_0.67Sr_0.33MnO₃(LSMO)薄膜，并光学刻蚀成LSMO条形电极；(2)在LSMO条形电极附近光学套刻Au条形电极，所述Au条形电极与LSMO条形电极平行排列于衬底上；(3)采用超高真空热蒸发工艺，利用物理掩模沿LSMO条形电极方向生长厚度呈梯度变化的楔形有机薄膜；(4)采用超高真空热蒸发工艺，利用物理掩模在楔形有机薄膜上方，沿垂直于LSMO条形电极方向生长Co条形电极，并在Co条形电极表面生长保护层，得到所述垂直型‑异域有机自旋电子器件。