[发明专利]ESD保护装置、包括ESD保护装置的半导体装置和其制造方法

摘要

一种用于保护集成电路(IC)免于ESD事件的影响的ESD保护装置包括：第一端，其耦合到所述IC的输入/输出焊盘；第二端，其耦合到参考电压或接地电压；可控硅整流器(SCR)装置，其具有连接到所述第一端的阳极和连接到所述参考电压或所述接地电压的阴极；以及pnp晶体管，其与所述SCR装置并联耦合。所述pnp晶体管具有耦合到所述第一端的发射极、耦合到所述第二端的集电极和耦合到所述SCR的栅极的基极。所述pnp晶体管包括形成于衬底的第一侧处的接触区域，所述第一接触区域被形成于所述衬底的所述第一侧处的STI层包围。在所述第一接触区域和所述STI层的相交点处形成有绝缘结构。

主权项

1.一种用于保护集成电路(94)免于在集成电路处接收到的静电放电ESD事件的影响的ESD保护装置(20，132)，其特征在于，所述ESD保护装置包括：第一端(92)，其被配置成耦合到所述集成电路的输入/输出I/O焊盘(80)；第二端(96)，其被配置成耦合到参考电压或接地电压；可控硅整流器SCR(88)，其具有连接到所述第一端的阳极(98)和连接到所述参考电压或所述接地电压的阴极(100)；以及pnp晶体管(90)，其与所述SCR并联耦合，所述pnp晶体管具有耦合到所述第一端的发射极(102)、耦合到所述第二端的集电极(104)和耦合到所述SCR的栅极(108)的基极(106)，其中所述pnp晶体管包括形成于衬底(24)的第一侧(26)处的第一接触区域(66)，所述第一接触区域至少部分地被形成于所述衬底的所述第一侧处的浅槽隔离STI层(84)包围，并且其中在所述第一接触区域和所述STI层的相交点处形成有绝缘结构(116)。