[发明专利]光学邻近修正方法在审
| 申请号： | 201910274318.1 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111796480A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朱斌;王谨恒;陈洁;张剑;张斌 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇;明霖 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光学邻近修正方法，通过建立光学邻近修正的仿真模型，并在不同尺寸的前层图形上进行光刻，收集数据并根据数据制定修正规则，根据修正规则调整光刻版的图形尺寸，直至光刻版上的图形转移到晶片后形成的图形尺寸与前层图形的尺寸无关，以改善不同尺寸的前层图形对当前层关键尺寸的影响，提高关键尺寸的一致性，稳定产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
