[发明专利]用于集成电路的蚀刻剂组合物有效
| 申请号： | 201910275879.3 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110129056B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨金顺;魏凤珍;王珏 | 申请（专利权）人： | 上海舸海科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 201900 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于集成电路的蚀刻剂组合物，属于蚀刻技术领域，包括，以蚀刻剂组合物的总重量计，3‑10wt％的硝酸；9‑16wt％的盐酸；0.01‑1wt％的仙草胶；和余量的水。利用上述蚀刻剂组合物蚀刻方法包括如下步骤：在基板上形成金属氧化物层；选择性地在金属氧化物层上留下光反应型材料，以使金属氧化物层的一部分暴露；和使用蚀刻剂组合物蚀刻被暴露的金属氧化物层。本发明蚀刻剂组合物具有可控的蚀刻速率、蚀刻效果好、精确的厚度蚀刻和无蚀刻残留物的优点，蚀刻的均匀性和稳定性较佳，可以提供极好的蚀刻轮廓，表现出极好的蚀刻性能，金属电极结构不易受到破坏，且不易留下造成电性短路的残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1.用于集成电路的蚀刻剂组合物，其特征在于：包括，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，3‑10wt％的硝酸；9‑16wt％的盐酸；0.01‑1wt％的仙草胶；和余量的水。
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