[发明专利]一种TBC太阳能电池结构及其制备方法在审
申请号: | 201910276202.1 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN110061072A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 屈小勇;高嘉庆;郭永刚 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 710099 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明的目的在于公开一种TBC太阳能电池结构及其制备方法,与现有技术相比,用P型掺杂的TOPCon结构、N型掺杂的TOPCon结构分别替代IBC电池的P型晶硅掺杂层和N型晶硅掺杂层,提高对N型基体背表面的钝化效果,并降低背面正负副栅线电极金属接触区域的金属复合和接触电阻,有效提高电池光电转换效率;P型掺杂的TOPCon结构与N型掺杂的TOPCon结构之间采用本征TOPCon结构做隔离,有效降低P型掺杂的TOPCon结构与N型掺杂的TOPCon结构之间的反向饱和暗电流,提高电池开路电压,有效控制生产成本,提高生产效率,实现本发明的目的。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池结构 掺杂层 晶硅 制备 电池 电池开路电压 光电转换效率 电极金属 钝化效果 反向饱和 接触电阻 接触区域 金属复合 生产效率 有效控制 暗电流 背表面 副栅线 本征 生产成本 背面 隔离 替代 | ||
【主权项】:
1.一种TBC太阳能电池结构及其制备方法,其特征在于,它包括硅片基体,所述硅片基体的前表面依次设置前表面场和前表面钝化减反射层,所述硅片基体的背面依次设置有隧穿氧化层和背面钝化层,所述隧穿氧化层和所述背面钝化层之间设置有N+掺杂的多晶硅/非晶硅、本征多晶硅/非晶硅和P+掺杂的多晶硅/非晶硅,所述背面钝化层的背面分别设置有正电极副栅线和负电极副栅线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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