[发明专利]一种TBC太阳能电池结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910276202.1 申请日: 2019-04-08
公开(公告)号: CN110061072A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 屈小勇;高嘉庆;郭永刚 申请(专利权)人: 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 710099 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明的目的在于公开一种TBC太阳能电池结构及其制备方法,与现有技术相比,用P型掺杂的TOPCon结构、N型掺杂的TOPCon结构分别替代IBC电池的P型晶硅掺杂层和N型晶硅掺杂层,提高对N型基体背表面的钝化效果,并降低背面正负副栅线电极金属接触区域的金属复合和接触电阻,有效提高电池光电转换效率;P型掺杂的TOPCon结构与N型掺杂的TOPCon结构之间采用本征TOPCon结构做隔离,有效降低P型掺杂的TOPCon结构与N型掺杂的TOPCon结构之间的反向饱和暗电流,提高电池开路电压,有效控制生产成本,提高生产效率,实现本发明的目的。
搜索关键词: 太阳能电池结构 掺杂层 晶硅 制备 电池 电池开路电压 光电转换效率 电极金属 钝化效果 反向饱和 接触电阻 接触区域 金属复合 生产效率 有效控制 暗电流 背表面 副栅线 本征 生产成本 背面 隔离 替代
【主权项】:
1.一种TBC太阳能电池结构及其制备方法,其特征在于,它包括硅片基体,所述硅片基体的前表面依次设置前表面场和前表面钝化减反射层,所述硅片基体的背面依次设置有隧穿氧化层和背面钝化层,所述隧穿氧化层和所述背面钝化层之间设置有N+掺杂的多晶硅/非晶硅、本征多晶硅/非晶硅和P+掺杂的多晶硅/非晶硅,所述背面钝化层的背面分别设置有正电极副栅线和负电极副栅线。
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