[发明专利]低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法有效
| 申请号： | 201910276469.0 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111799161B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘龙平 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法，制作方法包括：S1、在半导体衬底的表面形成硅外延层；S2、在硅外延层的表面形成阻挡层；S3、利用光刻工艺在阻挡层定义出沟槽区域，以阻挡层为掩模在沟槽区域对硅外延层进行刻蚀形成沟槽；S4、在沟槽的侧面和底部表面形成预设厚度的预设场氧；S5、在沟槽中填充第一多晶硅，对第一多晶硅进行刻蚀形成屏蔽栅；S6、采用HARP工艺填充HARP氧化层至沟槽并填充完全；S7、对HARP氧化层进行退火；S8、对HARP氧化层、阻挡层和预设场氧进行研磨；S9、对预设场氧和HARP氧化层进行刻蚀，形成HARP隔离层。本发明的制作方法制作的低压屏蔽栅场效应晶体管的性能高。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 屏蔽 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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