[发明专利]三维层叠式半导体存储器件

摘要

本发明公开了一种三维(3D)层叠式半导体存储器件。该半导体存储器件可以包括：多个行线，其在第一水平方向上彼此平行地延伸；多个列线叠层，其在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸，其中多个列线叠层中的每个列线叠层在竖直方向上包括彼此平行地延伸的多个列线；以及多个单元柱，其竖直穿通列线叠层的列线，多个单元柱中的每个单元柱具有第一端和第二端，其中，多个单元柱的第一端电耦接到多个行线，以及多个单元柱的第二端被浮置。每个单元柱包括核和可变电阻存储层。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：/n多个行线，其在第一水平方向上彼此平行地延伸；/n多个列线叠层，其在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸，其中所述多个列线叠层中的每个列线叠层在竖直方向上包括彼此平行地延伸的多个列线；以及/n多个单元柱，其竖直穿通所述列线叠层的所述列线，所述多个单元柱中的每个单元柱具有第一端和第二端，/n其中，所述多个单元柱的所述第一端电耦接到所述多个行线，以及/n其中，所述多个单元柱的所述第二端被浮置。/n