[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910279365.5 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111799370B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 吴伯伦;蔡世宁;许博砚 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含第一电极、电阻转态层、盖层、保护层以及第二电极。电阻转态层设置于第一电极上方。盖层设置于电阻转态层上方，其中盖层的底表面小于电阻转态层的顶表面。保护层设置于电阻转态层上方且环绕盖层。第二电极的至少一部分设置于盖层上方且覆盖保护层。本发明可通过在存储器装置设置环绕盖层的保护层，以避免后续制造工艺损伤盖层，进而改善存储器装置的可靠度并增加制造工艺宽裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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