[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910279990.X | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111799376A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 田汉民;常卫洪;方国川 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300401 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子阻挡结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子阻挡结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加由P型氧化镍组成的电子阻挡结构层。钙钛矿光吸收层与电子阻挡结构层具备相匹配的能级。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷，以及还可以起到保护界面的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 晶硅钙钛矿异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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