[发明专利]一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910280197.1 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110104959A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 侯慧林;梁钊;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;C03C23/00;B01J21/06 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 王玲华 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于光电催化领域，涉及一种光阳极的修饰方法，具体涉及一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的半导体纳米阵列及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在FTO导电玻璃上制备纳米半导体；(2)使用等离子体设备处理纳米半导体，以H2/Ar混合气为工作气体，加热处理，获得等离子氢化纳米半导体；(3)将等离子氢化纳米半导体浸入碳量子点溶液中，25～100℃下浸泡1～5小时，获得等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米半导体 等离子氢化 修饰 制备 量子点 等离子体设备 半导体纳米 量子点溶液 工作气体 光电催化 加热处理 浸入 光阳极 混合气 浸泡 | ||
【主权项】：
1.一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体，其特征在于，所述共同修饰的纳米半导体由纳米半导体材料依次经等离子氢化和碳量子点处理而得。
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