[发明专利]一种多元高熵合金薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种多元高熵合金薄膜的制备方法，包括步骤：将硅片基底清洗；将清洗好的硅片基底吹干；将硅片基底置于进样室进行反溅；将硅片基底传入溅射室内，所需金属单质靶材分别置于靶盘上，加热烘烤腔体，抽真空；通入Ar气，将靶材接入电源，设置溅射功率和偏压，调整工作气压，预溅射；打开硅片基底挡板，之后打开自转，开始溅射；溅射结束，依次关闭电源，偏压，停止通入氩气，之后继续抽真空，后取出冷却的硅片基底，基底上既能得到该耐腐蚀高熵合金薄膜。本发明溅射速率稳定，获得厚度均匀的耐腐蚀高熵合金薄膜材料；制备过程中使用单质金属靶材，降低了高熵合金薄膜的制备成本；操作简单，极大推广耐腐蚀高熵合金薄膜的应用。

主权项

1.一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将单面抛光的硅片清洗；2)将清洗好的硅片基底吹干，使其表面没有任何水渍；3)将硅片基底置于进样室进行反溅，进一步去除材料表面杂质，从而提高基底表面质量；4)将硅片基底传入溅射室内，所需金属单质靶材分别置于靶盘上，加热烘烤腔体，抽真空至4.0×10^‑4～5.0×10^‑5Pa；5)通入Ar气，将靶材接入电源，设置溅射功率和偏压，调整工作气压至4.5×10^‑1Pa，预溅射15～20min，用于清理靶材表面的杂质，提高靶材的纯度；6)打开硅片基底挡板，之后打开自转，开始溅射；7)溅射结束，依次关闭电源，偏压，停止通入氩气，之后继续抽真空，后取出冷却的硅片基底，基底上既能得到该耐腐蚀高熵合金薄膜。