[发明专利]一种碳化硅功率器件芯片键合方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅功率器件芯片键合方法，属于微电子封装技术领域。本发明的键合方法包括：在碳化硅功率器件晶圆的无源面和基板面板上分别依次配置阻挡层和粘接层；将纳米银焊膏以均匀厚度分别印刷在碳化硅功率器件晶圆和基板面板的粘接层上，进行无压烧结形成银烧结层；对银烧结层进行氧化处理和抛光处理；切割形成分离的碳化硅功率器件芯片和基板；采用表面贴装方式将碳化硅功率器件芯片上的银烧结层面对面配置于基板上的银烧结层上，进行热压键合，实现碳化硅功率器件芯片键合连接。该发明具有简单、高可靠性、高良率、高产率的特点。

主权项

1.一种碳化硅功率器件芯片键合方法，其特征主要包括以下步骤：步骤1：在碳化硅功率器件晶圆的无源面依次配置第一阻挡层和第一粘接层；在基板面板上依次配置第二阻挡层和第二粘接层；步骤2：将纳米银焊膏以均匀厚度印刷在碳化硅功率器件晶圆的第一粘接层上；将纳米银焊膏以均匀厚度印刷在基板面板的第二粘接层上；将印刷完成的碳化硅功率器件晶圆和基板面板分别放置于加热台上进行无压烧结成型，形成第一银烧结层和第二银烧结层；步骤3：对碳化硅功率器件晶圆上的第一银烧结层进行氧化处理；对基板面板上的第二银烧结层进行氧化处理；步骤4：对碳化硅功率器件晶圆上的第一银烧结层进行抛光处理，对基板面板上的第二银烧结层进行抛光处理；步骤5：切割碳化硅功率器件晶圆，形成分离的单颗碳化硅功率器件芯片；切割基板面板，形成分离的单个基板；步骤6：采用表面贴装方式将碳化硅功率器件芯片上的第一银烧结层面对面配置于基板上的第二银烧结层上，将配置好的碳化硅功率器件芯片和基板一同放置于加热台上进行热压键合，实现键合连接。