[发明专利]LED制备方法及LED有效
| 申请号： | 201910282870.5 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110061105B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张宇;康建;杨天鹏;戚雪林;周荣 | 申请（专利权）人： | 江西圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 文小莉;刘芳 |
| 地址： | 337000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED制备方法及LED。本发明提供的LED制备方法，包括：在衬底上形成AlN层；在AlN层上依次生长无掺杂GaN层和N型GaN层；在N型GaN层上生长电子扩散层；在电子扩散层上生长应力释放层；在应力释放层上生长发光层；在发光层上生长P型GaN层。本发明提供的LED制备方法，电子和空穴复合几率较高，LED的发光效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成AlN层；在所述AlN层上依次生长无掺杂GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长电子扩散层；在所述电子扩散层上生长应力释放层；在所述应力释放层上生长发光层；在所述发光层上生长P型GaN层。
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