[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910283541.2 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110391182A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 荒川太朗;冈村卓 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，不会导致器件品质降低。晶片的加工方法至少包含如下工序：聚烯烃系片敷设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口中而在晶片的背面和框架的外周敷设聚烯烃系片；一体化工序，对聚烯烃系片进行加热并进行热压接而通过聚烯烃系片使晶片和框架一体化；分割起点形成工序，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线而进行照射，形成分割起点；第一分割工序，将按压刃定位于第一分割预定线并赋予外力而对第一分割预定线进行分割；以及第二分割工序，将按压刃定位于第二分割预定线并赋予外力而对第二分割预定线进行分割，通过该第一分割工序和该第二分割工序将晶片分割成各个器件。 | ||
| 搜索关键词： | 分割预定线 晶片 聚烯烃系 分割 按压 分割起点 敷设 开口 加工 激光光线 晶片定位 晶片分割 器件品质 形成工序 一体化 收纳 聚光点 热压接 外周 赋予 加热 背面 照射 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件，该晶片由沿第一方向形成的第一分割预定线和沿与该第一方向交叉的第二方向形成的第二分割预定线划分并在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：聚烯烃系片敷设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口中而在晶片的背面和框架的外周敷设聚烯烃系片；一体化工序，对聚烯烃系片进行加热并进行热压接而通过聚烯烃系片使晶片和框架一体化；分割起点形成工序，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线而进行照射，形成分割起点；第一分割工序，将按压刃定位于第一分割预定线并赋予外力而对第一分割预定线进行分割；以及第二分割工序，将按压刃定位于第二分割预定线并赋予外力而对第二分割预定线进行分割，通过该第一分割工序和该第二分割工序将晶片分割成各个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
