[发明专利]半导体存储器件

摘要

提供了一种半导体存储器件，其包括：基板，包括单元阵列区域和焊盘区域；堆叠结构，设置在基板的单元阵列区域和焊盘区域上，并包括栅电极；器件隔离层，与堆叠结构垂直地交叠并设置在基板的焊盘区域中；虚设垂直沟道部分，在基板的焊盘区域上穿进堆叠结构并设置在器件隔离层中；以及虚设半导体柱，设置在虚设垂直沟道部分和基板的与器件隔离层的一个侧壁接触的一部分之间。

主权项

1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：基板，所述基板包括单元阵列区域和焊盘区域；堆叠结构，所述堆叠结构设置在所述基板的所述单元阵列区域和所述焊盘区域上，并包括栅电极；器件隔离层，所述器件隔离层与所述堆叠结构垂直地交叠并设置在所述基板的所述焊盘区域中；第一虚设垂直沟道部分，所述第一虚设垂直沟道部分在所述基板的所述焊盘区域上穿进所述堆叠结构并设置在所述器件隔离层中；以及第一虚设半导体柱，所述第一虚设半导体柱设置在所述第一虚设垂直沟道部分和所述基板的与所述器件隔离层的一个侧壁接触的一部分之间。