[发明专利]金氧半导体组件有效
| 申请号： | 201910284213.4 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111524968B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 涂高维;张渊舜 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙) 11328 | 代理人： | 刘子文;钱莺勤 |
| 地址： | 中国台湾新北市五*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金氧半导体组件，包括重掺杂基板、外延层、开口、复数个金氧半导体单元与金属图案层。外延层是形成于重掺杂基板上。开口是定义于外延层内，以裸露重掺杂基板。这些金氧半导体单元是形成于外延层上。金属图案层包括源极金属图案、闸极金属图案与汲极金属图案。其中，源极金属图案与闸极金属图案是位于外延层上。汲极金属图案是填入前述开口，并由重掺杂基板向上延伸突出外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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