[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201910284815.X | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110071148A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 周星宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。所述有机发光二极管显示装置是通过采用透光导体层与透光阳极层以形成透光电容,以改善有机发光二极管显示装置的开口率。另外,所述有机发光二极管显示装置的制造方法可在不增加光罩数的前提下改善有机发光二极管显示装置的开口率。 | ||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示装置 透光 开口率 制造 导体层 阳极层 电容 光罩 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管显示装置,定义有一薄膜晶体管区、一电容区以及一发光区,其中所述电容区位在所述薄膜晶体管区与所述发光区之间,其特征在于:所述有机发光二极管显示装置包含:一基板;一图案化栅极金属层,设在所述基板上且位在所述薄膜晶体管区中;一栅极绝缘层,设在所述图案化栅极金属层及位在所述电容区以及所述发光区中的所述基板上;一有源层,设在所述栅极绝缘层上且位在所述薄膜晶体管区中,其中所述有源层包含一源极区、一漏极区以及一通道区;一透光导体层,设在所述栅极绝缘层上且位在所述电容区中;一导线层,贯通所述栅极绝缘层以电性连接所述图案化栅极金属层与所述透光导体层;一钝化层,覆盖所述有源层、所述透光导体层及所述导线层;一平坦层,设置在所述钝化层上;以及一透光阳极层,设置在所述平坦层上并且包含:一第一部分,贯通所述平坦层与所述钝化层以电性连接所述源极区;一第二部分,位在所述电容区中且与所述透光导体层形成一透光电容;及一第三部分,位在所述发光区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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