[发明专利]二极管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910285071.3 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111816693A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 翁宏达;邱云贵;朱建仲 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种二极管结构及其制造方法。其结构包括第一金属层、第一型的导电性半导体层、第二型的导电性半导体层、沟渠部以及第二金属层。第一型的导电性半导体层形成于第一金属层之上。第二型的导电性半导体层形成于第一型的导电性半导体层之上。第一型的导电性半导体层与第二型的导电性半导体层具有相反的导电性，且成一PN接面。沟渠部穿设于第二型的导电性半导体层与第一型的导电性半导体层，与第一型的导电性半导体层形成第一接触面，与第二型的导电性半导体层形成第二接触面。第二金属层形成于第二型的导电性半导体层与沟渠部之上。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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