[发明专利]倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法有效
申请号: | 201910285852.2 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110071052B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 王艳;何志丹;宁福英 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法,位置标记方法包括:获取底部填充层中的失效结构在互连结构的阵列中的位置信息,位置信息以阵列的行列数表述;去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面,其中每个互连结构背离芯片的一端皆位于标记面上;在标记面上对位置信息所指示的位置做上标记。本申请提供的倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法,通过去除至少部分基板以形成将阵列中每个互连结构上背离芯片的一端皆暴露于外部的标记面,然后根据失效结构的位置信息在标记面上进行标记,实现了在倒装芯片上对失效结构进行精准标记的目的,进而降低了获取失效结构的横向截面的操作难度。 | ||
搜索关键词: | 倒装 芯片 失效 结构 位置 标记 方法 以及 分析 | ||
【主权项】:
1.一种倒装芯片中失效结构的位置标记方法,所述倒装芯片包括叠层设置的芯片和基板,所述芯片与所述基板之间通过阵列排布的多个互连结构电连接,所述芯片与所述基板之间还设有底部填充层,其特征在于,所述位置标记方法包括:获取底部填充层中的失效结构在所述互连结构的阵列中的位置信息,所述位置信息以所述阵列的行列数表述;去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面,其中每个所述互连结构背离芯片的一端皆位于所述标记面上;在所述标记面上对所述位置信息所指示的位置做上标记。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造