[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910286484.3 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109860219A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 孟俊生;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括像素区和隔离区，所述像素区与隔离区相邻，且所述隔离区包围所述像素区；在所述衬底像素区内形成感光结构；在所述衬底隔离区表面形成初始栅格层，所述初始栅格层内具有暴露出像素区的初始凹槽；对所述初始栅格层的侧壁进行减薄，以在所述隔离区表面形成栅格层，且所述栅格层内具有暴露出像素区的凹槽。所述方法提高了图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离区 像素区 栅格层 衬底 图像传感器 表面形成 感光结构 暴露 侧壁 减薄 像素 包围 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括像素区和隔离区，所述像素区与隔离区相邻，且所述隔离区包围所述像素区；在所述衬底像素区内形成感光结构；在所述衬底隔离区表面形成初始栅格层，所述初始栅格层内具有暴露出像素区的初始凹槽；对所述初始栅格层的侧壁进行减薄，以在所述隔离区表面形成栅格层，且所述栅格层内具有暴露出像素区的凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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