[发明专利]原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池及其制备方法，包括N型单晶硅衬底层；本征非晶硅薄膜；P型非晶硅薄膜；N型的非晶硅薄膜；透明导电薄膜；电镀金属电极；所述电镀金属电极包括金属种子层，所述金属种子层通过电化学法原位还原形成在所述透明导电薄膜上；金属传导层，所述金属传导层电镀在所述金属种子层的表面上。本发明相比与传统电镀电极的制备方法，能显著降低工艺复杂性，通过电化学的方法形成种子层，改善界面附着特性，降低界面接触电阻；可以改善异质结太阳电池的性能，实现高效、低成本的目的。

主权项

1.原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，包括N型单晶硅衬底层；本征非晶硅薄膜，所述本征非晶硅薄膜形成在所述N型单晶硅衬底层的上下两侧表面上；P型非晶硅薄膜，所述p型非晶硅薄膜形成在一侧所述本征非晶硅薄膜的表面上；N型的非晶硅薄膜，所述N型的非晶硅薄膜形成在另一侧所述本征非晶硅薄膜的表面上；透明导电薄膜，所述透明导电薄膜形成在所述P型非晶硅薄膜和所述N型的非晶硅薄膜的表面上；金属电极，所述金属电极形成在所述透明导电薄膜的表面上；所述金属电极包括金属种子层，所述金属种子层通过电化学法原位还原形成在所述透明导电薄膜上；金属传导层，所述金属传导层电镀在所述金属种子层的表面上。