[发明专利]垂直存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910289024.6 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110610944A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 尹壮根;李载惪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种垂直存储器装置及其制造方法，所述垂直存储器装置包括：基底，具有沟槽结构；栅电极，位于基底上，栅电极在与基底的上表面基本垂直的第一方向上彼此分隔开；沟道，所述沟道包括竖直部分和水平部分，竖直部分沿第一方向延伸穿过栅电极，水平部分在沟槽结构中在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，水平部分连接竖直部分；外延层，位于基底的第一部分上并且连接到沟道的水平部分，基底的第一部分沿第二方向与栅电极的端部相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 栅电极 沟道 竖直 垂直存储器 沟槽结构 上表面 方向延伸 基本平行 垂直的 外延层 分隔 穿过 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：/n基底，具有沟槽结构；/n栅电极，位于基底上，栅电极在与基底的上表面基本垂直的第一方向上彼此分隔开；/n沟道，所述沟道包括竖直部分和水平部分，竖直部分沿第一方向延伸穿过栅电极，水平部分在沟槽结构中在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，水平部分连接竖直部分；以及/n外延层，位于基底的第一部分上并且连接到沟道的水平部分，基底的第一部分沿第二方向与栅电极的端部相邻。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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