[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910289837.5 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110391134A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 徐恩哲;朴劲必;朴斗焕;朴成浩;朴爱咏;郑景民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L27/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成硬掩模层；使用第一光刻工艺在所述硬掩模层上形成第一模制图案；在所述第一模制图案上和在所述硬掩模层的由所述第一模制图案暴露的部分上共形地形成间隔物层；使用第二光刻工艺形成第一模制层。第一模制层可以具有暴露所述间隔物层的一部分的第一开口。所述方法可以包括：通过各向异性地蚀刻所述间隔物层的由所述第一开口暴露的所述部分来形成间隔物图案，直到暴露所述硬掩模层的顶表面的一部分；以及使用所述间隔物图案作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩模层 第一模 间隔物层 半导体器件 间隔物图案 光刻工艺 制层 暴露 开口 蚀刻 图案 蚀刻掩模 图案暴露 顶表面 图案化 衬底 共形 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成硬掩模层；使用第一光刻工艺在所述硬掩模层上形成第一模制图案；在所述第一模制图案上和所述硬掩模层的由所述第一模制图案暴露的部分上共形地形成间隔物层；使用第二光刻工艺形成第一模制层，所述第一模制层具有暴露所述间隔物层的一部分的第一开口；通过在所述间隔物层的由所述第一开口暴露的所述部分上执行各向异性蚀刻工艺来形成间隔物图案，直到暴露所述硬掩模层的顶表面的一部分；以及使用所述间隔物图案作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910289837.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图案化方法
- 下一篇：去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
