[发明专利]负电容场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910289946.7 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110034190B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;姚佳欣;张青竹;李超雷;张兆浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种负电容场效应晶体管及其制备方法。该负电容场效应晶体管包括：衬底结构，衬底结构包括MOS区域；栅绝缘介质层结构，覆盖于MOS区域上，包括沿远离衬底结构的方向顺序层叠的界面氧化层、HfO |
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| 搜索关键词： | 电容 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种负电容场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括MOS区域；栅绝缘介质层结构，覆盖于所述MOS区域上，包括沿远离所述衬底结构的方向顺序层叠的界面氧化层、HfO2层、第一铁电材料层和第二铁电材料层，其中，形成所述第二铁电材料层的材料为HfxA1‑xO2，0＜x＜1，形成所述第一铁电材料层的材料为HfyB1‑yO2或HfByO2‑y，A和B为不同的掺杂元素，0＜y＜1；金属栅叠层，覆盖于所述栅绝缘介质层结构上。
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